Bâti extérieur TO-268HV (IXBT) d'IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 W IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de conduite inverse IGBTs IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ ...

voir produits détaillés →

Mots clés du produit:

irf520 mosfet high side mosfet driver semiconductor igbt module mitsubishi

show pictures

Circuits intégrés IC

Logique programmable IC

Diode Zener IC

Rf Pin Diode

Diode de composant électronique

Relais à semi-conducteur

Module de transistor d'IGBT

Connecteurs d'entrée-sortie

Condensateurs en céramique multicouche

Coupleur optique d'entraînement de porte

Microphone de Digital Mems

Fan Tubeaxial

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

Obstructions communes de mode

Relais d'usage universel

Connecteurs standard de sous-marin de D

Gestion IC de puissance

Bâti extérieur IXBT14N300HV du module 3000V 38A 200W de transistor de TO-268HV IGBT