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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Accueil / produits / IGBT Transistor Module / Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264 /

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Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264
Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264
  • Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264
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IXYK110N120A4 IGBT pinte 1200 V 375 A W 1360 par le trou TO-264 (IXYK) Fossé 650V d'IXYS à 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs Le fossé 650V d'IXYS à 1200V XPT™ ...
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5401dm transistor p55nfo power mosfet to 126 transistor

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