produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / IGBT Transistor Module /

Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4

Catégories de produits

Circuits intégrés IC

 [55]

Logique programmable IC

 [15]

Diode Zener IC

 [16]

Rf Pin Diode

 [16]

Diode de composant électronique

 [17]

Relais à semi-conducteur

 [15]

Module de transistor d'IGBT

 [20]

Connecteurs d'entrée-sortie

 [15]

Condensateurs en céramique multicouche

 [10]

Coupleur optique d'entraînement de porte

 [16]

Microphone de Digital Mems

 [11]

Fan Tubeaxial

 [10]

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

 [10]

Obstructions communes de mode

 [10]

Relais d'usage universel

 [18]

Connecteurs standard de sous-marin de D

 [10]

Gestion IC de puissance

 [12]
Contacter
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.
Visitez le site Web
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:Missalphademo@maoyt.com
Coordonnées du contact
Contacter
China Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4 wholesale
  • China Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4 wholesale
  • China Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4 wholesale

Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4
Demander le dernier prix
Number modèle :FGHL75T65LQDTL4
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :1.35V @ 15V, 75A
Puissance - Max :469 W
Énergie de changement :1.01mJ (dessus), 2.53mJ ()
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

FGHL75T65LQDTL4 FS4 BAS VCESAT IGBT 650V 75A TO2

Attributs de produit
TYPE DESCRIPTION
Catégorie Produits semiconducteurs discrets
Transistors - IGBTs - simples
Mfr onsemi
Série -
Paquet Tube
Statut de produit Actif
Type d'IGBT Arrêt de champ de fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 650 V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) 300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 1.35V @ 15V, 75A
Puissance - maximum 469 W
Énergie de changement 1.01mJ (dessus), 2.53mJ ()
Type d'entrée Norme
Charge de porte 779 OR
°C 25 du TD ("Marche/Arrêt") @ 40ns/548ns
Condition d'essai 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) 87 NS
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet/cas TO-247-4
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247-4L
Mots clés du produit:

1n5400 diode specifications

channel igbt toshiba semiconductor

1n4001 diode datasheet
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4