Les Bourns modèlent la technologie bipolaire isolée OFFERTE de cartel de transistors de porte (IGBTs) d'une porte de transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour applications à haute tension/à forte intensité. Le modèle A OFFERT la technologie avancée de Champ-arrêt de Fossé-porte d'utilisation d'IGBTs pour fournir un plus grand contrôle des caractéristiques dynamiques, ayant pour résultat une tension de saturation inférieure de collecteur-émetteur et moins pertes de changement. L'IGBTs comportent un -55°C à la gamme de température de fonctionnement de +150°C et sont disponible en paquets de TO-252, de TO-247, et de TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique inférieure leur faisant les solutions appropriées d'IGBT pour les alimentations d'énergie de Commutateur-mode (SMPS), les sources d'énergie non interruptibles (UPS), et les applications de la compensation de phase (PFC).

CARACTÉRISTIQUES

BIDD05N60T
- 600V, 5A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
- Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
- Optimisé pour la conduction
- Robuste, paquet TO-252
- RoHS conforme
BIDW20N60T
- 600V, 20A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
- Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
- Optimisé pour la conduction
- Basse perte de changement
- Paquet TO-247
- RoHS conforme
BIDW30N60T
- 600V, 30A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
- Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
- Optimisé pour la conduction
- Paquet TO-247
- RoHS conforme

BIDW50N65T
- 600V, 50A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
- Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
- Optimisé pour la conduction
- Paquet TO-247
- RoHS conforme
BIDNW30N60H3
- 600V, 30A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
- Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
- Basse perte de changement
- Commutation rapide
- Paquet de TO-247N
- RoHS conforme

APPLICATIONS

alimentations d'énergie de Commutateur-mode (SMPS)
Sources d'énergie non interruptibles (UPS)
Compensation de phase (PFC)
Inverseurs (BIDW50N65T seuls)

Chauffage par induction (BIDW30N60T et BIDNW30N60H3 seuls)
Moteurs pas à pas (BIDW20N60T seuls)

Mots clés du produit:

Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W par le trou TO-247

Circuits intégrés IC

Logique programmable IC

Diode Zener IC

Rf Pin Diode

Diode de composant électronique

Relais à semi-conducteur

Module de transistor d'IGBT

Connecteurs d'entrée-sortie

Condensateurs en céramique multicouche

Coupleur optique d'entraînement de porte

Microphone de Digital Mems

Fan Tubeaxial

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

Obstructions communes de mode

Relais d'usage universel

Connecteurs standard de sous-marin de D

Gestion IC de puissance

Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W par le trou TO-247

Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W par le trou TO-247

Les Bourns modèlent les transistors bipolaires isolés OFFERTS de porte

CARACTÉRISTIQUES

APPLICATIONS

diode bridge 3 phase

bridge rectifier diode value

0.5 a bridge rectifier