Arrêt de champ de fossé de WG50N65DHWQ IGBT 650 V 91 A 278 W par le trou TO-247-3
Semi-conducteurs WG50N65DHWQ IGBT de WeEn
Les semi-conducteurs WG50N65DHWQ IGBT de WeEn est des 650V/50A ultra-rapides IGBT avec une diode antiparallèle dans un paquet TO247. Cet IGBT offre ultra-rapide avec de basses pertes de commutation et les caractéristiques lissent le comportement de changement qui évite la tension dépassent et réduisent le système IEM. Le WG50N65DHWQ IGBT comporte la technologie de champ-arrêt de porte de fossé et offre la basse résistance thermique. Cet IGBT vient dans un paquet sans halogène, comporte une finition sans Pb d'avance, et est RoHS conforme. Les applications typiques incluent la compensation de phase, convertisseur de soudure, inverseur solaire. inverseur industriel, et UPS.
CARACTÉRISTIQUES
- Ultra-rapide avec de basses pertes de changement
- Diode antiparallèle de récupération rapide et douce
- V positifCE (s'est reposé)coefficient de température
- Diode antiparallèle de récupération rapide et douce
- A qualifié selon JEDEC et répond à l'exigence de l'inflammabilité UL94V0
- Le comportement de changement sans heurt évite la tension dépassent et réduisent le système IEM
- paquet sans halogène et finition sans Pb d'avance
- RoHS conforme
- Basse résistance thermique
- Bas VCE (s'est reposé)et basses pertes de changement
- Technologie de champ-arrêt de porte de fossé
CARACTÉRISTIQUES
- -55°C à la température ambiante fonctionnante de la jonction 150°C
- tension de collecteur-émetteur 650V VCE
- courant de collecteur de C.C 50A IC
APPLICATIONS
- Compensation de phase
- Convertisseur de soudure
- Inverseur solaire
