Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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Arrêt de champ d'IKWH40N65WR6XKSA1 IGBT 650V 75A 175W par le trou PG-TO247-3-32

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Arrêt de champ d'IKWH40N65WR6XKSA1 IGBT 650V 75A 175W par le trou PG-TO247-3-32

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Number modèle :IKWH40N65WR6XKSA1
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces
Type d'IGBT :Fossé
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :75 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :120 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :1.85V @ 15V, 40A
Puissance - Max :175 W
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Fossé 650 V 75 A 175 W d'IKWH40N65WR6XKSA1 IGBT par le trou PG-TO247-3-32

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 renversent IGBTs de conduite

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 IGBTs de conduite qu'inverse sont optimisés pour le tour dur plein-évalué de commutation a typiquement trouvé dans des applications de soudure d'inverseur. L'Infineon IGBTs de conduite inverse permettre l'accès à la technologie performante pour les utilisateurs sensibles au coût. L'IGBTs sont recommandés pour les étapes d'AC-DC, de PFC dans la climatisation, la soudure, l'UPS, et les applications solaires.

CARACTÉRISTIQUES

  • La pleine commutation dure évaluée optimisée d'arrêt a typiquement trouvé dans la soudure
  • Excellente contrôlabilité de RG
  • Récupération douce plus bas Qrrpour la diode

APPLICATIONS

  • Convertisseurs de fréquence moyenne
  • Commutation actuelle zéro
  • PFC

GUIDE DE SÉLECTION

Arrêt de champ d'IKWH40N65WR6XKSA1 IGBT 650V 75A 175W par le trou PG-TO247-3-32
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