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Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

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Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

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Number modèle :RGS80TSX2DHRC11
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :30 PCS
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement :6K PCS
Délai de livraison :2 ou 3 jours
Détails de empaquetage :30 PCS/Tube
Catégorie :IGBTs simple
Mfr :Semi-conducteur de Rohm
Paquet :Tube
Type d'IGBT :Arrêt de champ de tranchée
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :1200V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) :80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :120 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :2.1V @ 15V, 40A
Puissance - maximum :555 W
Type d'entrée :Norme
Charge de porte :104 OR
Condition d'essai :600V, 40A, 10Ohm, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) :198 NS
Température de fonctionnement :-40°C ~ 175°C
Montage du type :Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur :TO-247N
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Arrêt de champ de fossé de RGS80TSX2DHRC11 IGBT 1200 V 80 A 555 W par le trou TO-247N

 

Caractéristiques :

Basse tension de saturation de collecteur-émetteur

●Temps 10μs de tenue de court-circuit

●Qualifié à AEC-Q101

●Construit dans la récupération rapide et douce même FRD

●Pb - électrodéposition libre d'avance ; RoHS conforme

 

Description :

Fossé IGBTs des véhicules à moteur d'arrêt de champ de RGS

Le fossé IGBTs des véhicules à moteur d'arrêt de gisement du semi-conducteur RGS de ROHM sont AEC-Q101 IGBTs des véhicules à moteur évalué cela

sont en 1200 les variantes V et 650V disponibles. Ces IGBTs fournissent la classe-principale basse perte de conduction qui contribue

à réduire la taille et à améliorer l'efficacité des applications. Les RGS IGBTs utilisent la fossé-porte originale et

technologies de mince-gaufrette. Ces technologies aident à réaliser la basse tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE (s'est reposé)) avec

pertes de changement réduites. Ces IGBTs fournissent les économies d'énergie accrues dans un grand choix d'à haute tension et d'à forte intensité

applications.

 

Détail rapide :

Fabricant
Semi-conducteur de Rohm
Fabricant Product Number
RGS80TSX2DHRC11
Description
FOSSÉ FLD 1200V 80A TO247N d'IGBT
Description détaillée
Arrêt de champ de fossé d'IGBT 1200 V 80 A 555 W par le trou TO-247N

 

Attributs de produit :

TYPE
DESCRIPTION
Catégorie
IGBTs simple
Mfr
Semi-conducteur de Rohm
Statut de produit
Actif
Type d'IGBT
Arrêt de champ de fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
1200 V
Actuel - collecteur (IC) (maximum)
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées)
120 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC
2.1V @ 15V, 40A
Puissance - maximum
555 W
Énergie de changement
3mJ (dessus), 3.1mJ ()
Type d'entrée
Norme
Charge de porte
104 OR
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C
49ns/199ns
Condition d'essai
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr)
198 NS
Température de fonctionnement
-40°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Par le trou
Paquet/cas
TO-247-3
Paquet de dispositif de fournisseur
TO-247N
Nombre bas de produit
RGS80

 

Ressources additionnelles :

ATTRIBUT DESCRIPTION
D'autres noms 846-RGS80TSX2DHRC11
Forfait standard 30

 

Image de données : https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rgs80tsx2dhr-e.pdf

Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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