produits Fournisseurs Sign in Register

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.

Customer first Integrity-based Development and innovation

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits /

Transistor de diode

Catégories de produits

Puce d'IC de mémoire

 [11]

Puces de capteur

 [10]

Puce d'IC de puissance

 [61]

Inducteurs de condensateurs de résistances

 [34]

Microcontrôleur IC

 [15]

Connecteur IC

 [12]

Puce d'IC de commutateur

 [15]

Module d'interface de communication

 [10]

Puce d'IC de relais

 [10]

Conducteur Chip de moteur

 [10]

Transistor de diode

 [14]

Convertisseur de données IC

 [10]

Amplificateur IC

 [10]
Contacter
L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:Mrwill
Coordonnées du contact
Contacter
1 - 10 de 15

 Transistor de diode
China Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W for sale

Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Arrêt de champ de fossé de RGS80TSX2DHRC11 IGBT 1200 V 80 A 555 W par le trou TO-247N Caractéristiques : ●Basse tension de saturation de collecteur-.....
Contacter

Add to Cart
China Comité technique du comité technique 294W du transistor MOSFET IC 40 V 195A de la Manche d'IRFB7434PBF N par le trou TO-220AB for sale

Comité technique du comité technique 294W du transistor MOSFET IC 40 V 195A de la Manche d'IRFB7434PBF N par le trou TO-220AB

N-canal 40 V 195A (comité technique) 294W (comité technique) d'IRFB7434PBF par le trou TO-220AB Caractéristiques : Catégorie FETs simples, transistors ...
Contacter

Add to Cart
China STPSC10H065BY-TR Diode extérieure 650 V 10A DPAK de bâti de diode de Smd for sale

STPSC10H065BY-TR Diode extérieure 650 V 10A DPAK de bâti de diode de Smd

STPSC10H065BY-TR Diode 650 V 10A montage en surface DPAK Fiche de données:STPSC10H065BY-TR Catégorie Diodes simples Fabricant STMicroelectronics Série ...
Contacter

Add to Cart
China Bâti extérieur TO-252AA de comité technique du comité technique 52W du circuit 800V 4A de transistor MOSFET de la Manche du FET N de FCD1300N80Z for sale

Bâti extérieur TO-252AA de comité technique du comité technique 52W du circuit 800V 4A de transistor MOSFET de la Manche du FET N de FCD1300N80Z

Bâti TO-252AA de la surface 52W (comité technique) du N-canal 800 V 4A (comité technique) de FCD1300N80Z Fiche technique : FCD1300N80Z Catégorie FETs ...
Contacter

Add to Cart
China Transistor bipolaire 450 V 30 A 200 W de diode de BUF420AW BJT NPN par le trou TO-247-3 for sale

Transistor bipolaire 450 V 30 A 200 W de diode de BUF420AW BJT NPN par le trou TO-247-3

BUF420AW Transistor bipolaire (BJT) NPN 450 V 30 A 200 W Trou traversant TO-247-3 Caractéristiques: ●STMicroelectronics TYPE DE VENTE PRÉFÉRÉ ●CAPACIT...
Contacter

Add to Cart
China Bâti extérieur 8-SOIC d'IC 100V 4.5A 2.5W de rangée de transistor MOSFET de la Manche de FDS3992 N for sale

Bâti extérieur 8-SOIC d'IC 100V 4.5A 2.5W de rangée de transistor MOSFET de la Manche de FDS3992 N

Bâti extérieur 8-SOIC de la rangée 100V 4.5A 2.5W du transistor MOSFET FDS3992 Fiche technique : FDS3992 Catégorie Le FET, transistor MOSFET range Mfr ...
Contacter

Add to Cart
China Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA for sale

Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA

N-canal 650 V 31.2A (comité technique) 277.8W (comité technique) d'IPP65R110CFDA par le trou PG-TO220-3 Caractéristiques : IPP65R110CFDA Catégorie ......
Contacter

Add to Cart
China Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N for sale

Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N

N-canal 1200 V 26A (comité technique) 115W (comité technique) d'IMZ120R090M1H par le trou PG-TO247-4-1 Caractéristiques : IMZ120R090M1H Catégorie FETs ...
Contacter

Add to Cart
China Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA for sale

Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA

N-canal 650 V 31.2A (comité technique) 277.8W (comité technique) d'IPP65R110CFDA par le trou PG-TO220-3 Caractéristiques : Catégorie FETs simples, ......
Contacter

Add to Cart
China Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H for sale

Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H

ATP114-TL-H Canal P 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) Montage en surface ATPAK Caractéristiques:ATP114-TL-H Catégorie FET simples, MOSFET Fabricant onsemi Type ...
Contacter

Add to Cart
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4