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Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.

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Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA

Catégories de produits

Mémoire IC Puce

 [13]

Puces de capteur

 [9]

Puce d'IC de puissance

 [172]

Microcontrôleur IC

 [10]

Connecteur IC

 [59]

Commutateur IC Puce

 [13]

Module d'interface de communication

 [8]

Puce de conducteur de moteur

 [10]

Diode Transistor

 [15]

Convertisseur de données IC

 [11]

Amplificateur IC

 [10]
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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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China Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA wholesale
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Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA
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Number modèle :BUF420AW
Point d'origine :Les Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum :50 PCS
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement :6K PCS
Délai de livraison :2 ou 3 jours
Détails de empaquetage :50 PCS/Tube
Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET
Mfr :Infineon Technologies
Série :Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™
Statut de produit :Actif
Type de FET :N-canal
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :650 V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C :31.2A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :110mOhm @ 12.7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4.5V @ 1.3mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :118 OR @ 10 V
Vgs (maximum) :±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :3240 PF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximum) :277.8W (comité technique)
Température de fonctionnement :-40°C | 150°C (TJ)
Montage du type :Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur :PG-TO220-3
Paquet/cas :TO-220-3
Nombre bas de produit :IPP65R110
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N-canal 650 V 31.2A (comité technique) 277.8W (comité technique) d'IPP65R110CFDA par le trou PG-TO220-3

 

Caractéristiques :

Catégorie FETs simples, transistors MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Série Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS
Statut de produit Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 650 V
Actuel - ツー 25 C continu du drain (identification) @ 31.2A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4.5V @ 1.3mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 118 OR @ 10 V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 3240 PF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximum) 277.8W (comité technique)
Température de fonctionnement -40°C |°C 150 (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur PG-TO220-3
Paquet/cas TO-220-3
Nombre bas de produit IPP65R110

Ressources additionnelles

ATTRIBUT DESCRIPTION
D'autres noms IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  448-IPP65R110CFDAAKSA1
  SP000895234
Forfait standard 50

 
Image de données : https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
 
 
Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDAComité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDAComité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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