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Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:Mrwill

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China Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N wholesale

Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N

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Number modèle :IMZ120R090M1H

Point d'origine :Les Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :30 PCS

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :18K PCS

Délai de livraison :2 ou 3 jours

Détails de empaquetage :30 PCS/Tube

Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET

Mfr :Infineon Technologies

Série :CoolSiC

Statut de produit :Actif

Type de FET :N-canal

Technologie :SiCFET (carbure de silicium)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :1200V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :26A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :15V, 18V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :117mOhm @ 8.5A, 18V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :5.7V @ 3.7mA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :21 OR @ 18 V

Vgs (maximum) :+23V, -7V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :707 PF @ 800 V

Dissipation de puissance (maximum) :115W (comité technique)

Température de fonctionnement :-55°C | 175°C (TJ)

Montage du type :Par le trou

Paquet de dispositif de fournisseur :PG-TO247-4-1

Paquet/cas :TO-247-4

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