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L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:Mrwill

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Comité technique DirectFET de C.A. 96W du N-canal 40V 217 de transistor de diode de résistance d'IRF7480MTRPBF isométrique JE

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Number modèle :IRF7480MTRPBF

Point d'origine :Les Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :4800 PCS

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :45K PCS

Délai de livraison :2 ou 3 jours

Détails de empaquetage :4800PCS/Tube

Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET

Mfr :Infineon Technologies

Série :HEXFET®, StrongIRFET™

Type de FET :N-canal

Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :40 V

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C :217A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :1.2mOhm @ 132A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3.9V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :185 OR @ 10 V

Vgs (maximum) :±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :6680 PF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum) :96W (comité technique)

Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)

Montage du type :Bâti extérieur

Paquet de dispositif de fournisseur :DirectFET™ isométrique JE

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