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L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix Bâti extérieur IC PowerPAK SO-8 de comité technique du comité technique 83W du N-canal 100 V 42A

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Number modèle :SQJ488EP-T2_GE3

Point d'origine :Les Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :3000 PCs

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :15K PCS

Délai de livraison :2 ou 3 jours

Détails de empaquetage :3000 PCS/Tape

Fabricant :Vishay Siliconix

Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET

Nombre de produit :SQJ488EP-T2_GE3

Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :100 V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :42A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :21mOhm @ 7.1A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :2.5V @ 250µA

Vgs (maximum) :±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :83W (comité technique)

Température de fonctionnement :-55°C | 175°C (TJ)

Paquet de dispositif de fournisseur :PowerPAK® SO-8

Montage du type :Bâti extérieur

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SQJ488EP-T2_GE3 bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 83W (comité technique) du N-canal 100 V 42A (comité technique)

Fiche technique : SQJ488EP-T2_GE3

Catégorie	FETs simples, transistors MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Série	Des véhicules à moteur, AEC-Q101, ® de TrenchFET
Statut de produit	Actif
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	100 V
Actuel - 掳 25 C continu du drain (identification) @	42A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	21mOhm @ 7.1A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	27 OR @ 10 V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	978 PF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximum)	83W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 175°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	® SO-8 de PowerPAK
Paquet/cas	® SO-8 de PowerPAK

CARACTÉRISTIQUES • Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET® • AEC-Q101 a qualifié d • 100 % Rg et UIS a examiné • Catégorisation matérielle : pour des définitions de conformité voir svp le http://www.vishay.com/doc?99912

Notes

a. Paquet limité

b. Essai d'impulsion ; μs du  300 de durée d'impulsion,  2 % de coefficient d'utilisation

c. Une fois monté sur 1" carte PCB de place (matériel FR-4)

d. Vérification paramétrique en cours

e. Voir le profil de soudure (www.vishay.com/doc?73257). Le PowerPAK SO-8L est un paquet sans plomb. L'extrémité du terminal d'avance est de cuivre exposé (non plaqué) en raison du processus de singulation à la fabrication. Un filet de soudure à l'astuce de cuivre exposée ne peut pas être garanti et n'est pas exigé pour assurer à interconnexion latérale inférieure appropriée de soudure

f. États de reprise : la soudure manuelle avec un fer à souder n'est pas recommandée pour les composants sans plomb

Image de données :

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