Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFD

FGH60N60SFD

600V, arrêt de champ 60A IGBT

Caractéristiques

• Capacité forte intensité

• Basse tension de saturation : VCE (reposé) =2.3V @ IC = 60A

• Impédance élevée d'entrée

• Commutation rapide

• RoHS conforme

Applications

• Chauffage par induction, UPS, SMPS, PFC

Description générale

Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications de chauffage par induction, d'UPS, de SMPS et de PFC où la basses conduction et pertes de commutation sont essentielles.

Capacités absolues

Notes : 1 : Essai répétitif, durée d'impulsion limitée par la température maximale de juntion

Dimensions mécaniques

TO-247AB (CODE 001 DE PAQUET DE FKS)

Anterwell était construction en 2004, ce moment-l nous juste une petite entreprise comme une graine.

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