DFB Epiwafer InP sous-strate MOCVD méthode 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement: 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP sous-strate MOCVD méthode 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement: 1,3 μm, 1,55 μm

Rapport sur le substrat InP de l'épivaire DFB

Les épiwafers sur des substrats phosphure d'indium (InP) sont des composants clés utilisés dans la fabrication de diodes laser DFB haute performance.Ces lasers sont essentiels pour les applications de communication optique et de détection en raison de leur capacité produire un mode unique, lumière largeur de ligne étroite avec émission de longueur d'onde stable, généralement dans les plages de 1,3 μm et 1,55 μm.

Le substrat InP fournit une excellente correspondance de réseau pour les couches épitaxiales telles que InGaAsP, qui sont cultivées pour former la région active, les couches de revêtement,et structures de grille qui définissent la fonctionnalité du laser DFBLa grille intégrée l'intérieur de la structure assure une rétroaction précise et un contrôle de la longueur d'onde.pour les systèmes de communication longue distance par fibre optique et WDM (multiplexage par division de longueur d'onde).

Les principales applications incluent les émetteurs-récepteurs optiques grande vitesse, les interconnexions des centres de données, la détection des gaz et la tomographie par cohérence optique (OCT).La combinaison des performances haute vitesse de l'épi-wafer DFB basé sur InP, une largeur de ligne spectrale étroite et une stabilité de longueur d'onde le rendent indispensable dans les réseaux de télécommunications modernes et les technologies de détection avancées.

Structure du substrat InP de l'épi-wafer DFB

Fiche de données du substrat DFB Epiwafer InP

Les propriétés du substrat InP de l'épi-wafer DFB

Matériau du substrat:

• Phosphure d'indium (InP): InP fournit une excellente correspondance de réseau pour les couches épitaxielles comme InGaAsP, réduisant les défauts et les dislocations pendant le processus de croissance épitaxielle.Cela conduit des couches de haute qualité essentielles pour une performance laser efficace.

Le vide de bande:

• Écart de bande direct: InP a une bande passante directe de 1,344 eV, ce qui le rend très approprié pour les applications optoélectroniques, en particulier pour l'émission dans le spectre infrarouge, autour des longueurs d'onde 1,3 μm et 1,55 μm,qui sont optimaux pour la communication optique.

Matching de la grille:

• InP permet la croissance de couches épitaxiales de haute qualité, en particulier InGaAsP, avec une contrainte minimale, assurant un fonctionnement stable et fiable de l'appareil.

Les couches épitaxiennes:

• Couche active: Généralement composée d'InGaAsP, cette couche définit la longueur d'onde d'émission et soutient la génération de photons par recombinaison radiative.
• Structure de la grille: La grille intégrée l'intérieur de la structure épitaxielle fournit la rétroaction nécessaire l'émission en mode unique, essentielle pour la précision des longueurs d'onde dans les lasers DFB.
• Couches de revêtement: Ces couches, entourant la région active, confinent la lumière et la dirigent vers la face de sortie, assurant ainsi un confinement optique efficace.

Longueur d'onde de fonctionnement:

• 10,3 μm et 1,55 μm: Ces longueurs d'onde sont idéales pour la communication par fibre optique en raison de leur faible perte de fibres optiques, ce qui rend les lasers DFB cruciaux pour la transmission de données longue distance et grande vitesse.

Largeur de ligne étroite et fonctionnement en mode unique:

• Les lasers DFB offrent une largeur de ligne spectrale étroite et fonctionnent en mode longitudinal unique,qui est essentiel pour minimiser les interférences du signal et maximiser l'intégrité des données dans les systèmes de multiplexage par division de longueur d'onde dense (WDM).

Stabilité la température:

• Les lasers DFB basés sur InP offrent une excellente stabilité température,qui est essentiel pour maintenir une sortie de longueur d'onde constante et minimiser la dégradation des performances différentes températures de fonctionnement.

Courant de seuil bas:

• Les lasers DFB sur des substrats InP présentent des courants de seuil bas, ce qui conduit un fonctionnement écoénergétique, ce qui est bénéfique tant pour les performances que pour la consommation d'énergie,notamment dans les centres de données et les réseaux de télécommunications.

Capacité de modulation haute vitesse:

• Les lasers DFB basés sur InP prennent en charge la modulation haute vitesse, ce qui les rend idéaux pour une utilisation dans les émetteurs-récepteurs optiques et les systèmes de communication nécessitant un transfert de données rapide.

Les principales propriétés des épi-plaquettes DFB sur des substrats InP, telles que leur excellente correspondance de réseau, leur fonctionnement en mode unique, leur largeur de ligne étroite, leurs performances grande vitesse et leur stabilité la température,les rendre indispensables la communication optique, détection et applications photoniques avancées.

Les vraies photos du substrat DFB Epiwafer InP

Application du substrat InP de l'épi-wafer DFB

1.Communication optique

• Réseaux de fibre optique longue distance: Les lasers DFB sont essentiels pour la communication optique longue distance, en particulier dans les plages de longueurs d'onde 1,3 μm et 1,55 μm, où la perte de signal dans les fibres optiques est minimisée.Ces lasers sont essentiels pour la transmission de données grande vitesse sur de longues distances..
• Systèmes WDM (multiplexage par division de longueur d'onde): Les lasers DFB sont utilisés dans les systèmes WDM pour transmettre plusieurs canaux de données sur une seule fibre en attribuant chaque canal une longueur d'onde spécifique.Leur précision et leur stabilité sont essentielles pour éviter les interférences entre les canaux..

2.Les interconnexions des centres de données

• Transmission de données grande vitesse: Les lasers DFB sont utilisés dans les centres de données pour connecter des serveurs et des équipements de réseautage, fournissant des liaisons optiques grande vitesse qui traitent de grandes quantités de données avec une perte et une interférence minimales du signal.

3.Détection des gaz et surveillance de l'environnement

• Détection de gaz: Les lasers DFB sont utilisés dans les applications de détection des gaz pour détecter des gaz spécifiques, tels que le CO2 et le CH4, en réglant le laser pour qu'il corresponde aux lignes d'absorption de ces gaz.Ceci est essentiel pour la sécurité industrielle, la surveillance environnementale et le contrôle des émissions.
• Spectroscopie par absorption laser: Dans la surveillance de l'environnement, les lasers DFB permettent une mesure précise des concentrations de gaz, en tirant parti de leur largeur de ligne étroite et de leurs longueurs d'onde réglables pour une détection haute résolution.

4.Tomographie de cohérence optique (TOC)

• Diagnostique médicale: Les lasers DFB sont utilisés dans les systèmes OCT pour l'imagerie médicale non invasive, comme les scans de la rétine en ophtalmologie et l'imagerie des tissus en dermatologie.La longueur d'onde stable et la largeur de ligne spectrale étroite améliorent la résolution et la clarté des images.

5.LIDAR (détection et mesure de la lumière)

• Les véhicules autonomes et la cartographie 3D: Les lasers DFB font partie intégrante des systèmes LIDAR, qui sont utilisés pour la mesure de la distance et la détection d'objets dans les véhicules autonomes, les drones et les applications de cartographie 3D.La précision et la stabilité du laser améliorent la précision des systèmes LIDAR pour déterminer les distances et identifier les objets.

6.Communication par satellite et dans l'espace

• Communication haute fréquence: Les lasers DFB sont utilisés dans les systèmes de communication par satellite, où une transmission de données haute fréquence et longue distance est requise.La capacité des lasers DFB maintenir une longueur d'onde stable dans des conditions environnementales variables est cruciale pour la communication spatiale.

Mondes clés: épiwafer DFB substrat InP