Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated
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Number modèle:APT50GT60BRDQ2G
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Transistors IGBTs de module d'alimentation d'APT50GT60BRDQ2G IGBT simple
Caractéristiques d'APT50GT60BRDQ2G
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | TNP |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 110A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 150A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.5V @ 15V, 50A |
| Puissance - maximum | 446W |
| Énergie de changement | 995µJ (dessus), 1070µJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 240nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 14ns/240ns |
| Condition d'essai | 400V, 50A, 5 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 22ns |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247 [B] |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale |
Emballage d'APT50GT60BRDQ2G
Pièces relatives pour APT50GT60BRDQ2G
| STM32G031G6U6 | STM32G031G6U6 | TJA1021T/20 |
| TJA1021T/20 | TJA1021T/20 | AM4378BZDN100 |
| AM4378BZDN100 | AM4378BZDN100 | AD8338ACPZ |
| AD8338ACPZ | AD8338ACPZ | TPS62060DSG |
| TPS62060DSG | TPS62060DSG | STM32F429 |
| STM32F429 | STM32F429 | TPS62133RGTR |
| TPS62133RGTR | TPS62133RGTR | LM1117MPX-ADJ/NOPB |
| LMR33630BDDAR | LM1117MPX-ADJ/NOPB | REF5050AIDGKR |
| LM1117MPX-ADJ/NOPB | REF5050AIDGKR | IPC100N04S5-1R9 |
| REF5050AIDGKR | IPC100N04S5-1R9 | SN74AHC1G125DBVR |
| IPC100N04S5-1R9 | SN74AHC1G125DBVR | MAX9737ETG+T |
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