Bâti extérieur IXBT14N300HV du module 3000V 38A 200W de transistor de TO-268HV IGBT
Number modèle:IXBT14N300HV
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):3000 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max):38 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):120 A
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur:
dans 23 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Bti extérieur TO-268HV (IXBT) d'IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 W
IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de conduite inverse IGBTs
IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de conduite inverse IGBTs combinent les forces des transistors MOSFET et de l'IGBTs. Ces dispositifs haute tension sont idéaux pour l'opération parallèle due au coefficient de température positif de tension de sa tension de saturation et de la chute de tension en avant de sa diode intrinsèque. Les diodes intrinsèques « libres » de corps du servir d'IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs de diode de protection, fournissant un chemin alternatif pour la charge inductive actuelle pendant le dispositif d'arrêt, empêchant les coupures élevées de tension de Ldi/dt d'infliger des dégts au dispositif.Utilisant l'IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, concepteurs de puissance peuvent éliminer les dispositifs évalués tension inférieure et plus faible intensité en série-parallèle multiples, la réduction du nombre de composants de puissance exigés et la simplification de ce fait des circuits associés d'entraînement de porte. Cette caractéristique a comme conséquence une conception de système beaucoup plus simple avec une fiabilité plus peu coûteuse et améliorée.
Les IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs sont disponibles en paquets de TO-263HV (IXBA14N300HV) et de TO-268HV (IXBT14N300HV). Ces dispositifs comportent un -55°C la température ambiante de jonction de +150°C.
CARACTÉRISTIQUES
- Diode intrinsèque « libre » de corps
- Ménage de l'espace en éliminant les dispositifs évalués tension inférieure et plus faible intensité en série-parallèle multiples
- Densité de puissance élevée
- Opération haute fréquence
- Basses pertes de conduction
- La porte de MOS s'allument pour la simplicité d'entraînement
- isolement 4000V électrique
- Basses conditions d'entraînement de porte
APPLICATIONS
- alimentations de Commutateur-mode et d'énergie de résonnant-mode
- Alimentations d'énergie non interruptible (UPS)
- Générateurs de laser
- Circuits de décharge de condensateur
- Commutateurs C.A.
CARACTÉRISTIQUES
- tension de collecteur-émetteur 3000V (VCES)
- tension de la collecteur-porte 3000V (VCGR)
- tension de porte-émetteur de ±20V (VGES)
- courant de collecteur de ±38A +25°C (IC25)
- courant de fuite de porte de ±100nA (IGES)
- courant de collecteur de ±14A +110°C (IC110)
- tension de saturation du collecteur-émetteur 2.7V (VCE (s'est reposé))
- temps de la court-circuit-tenue 10μs (tSc)
- dissipation de puissance du collecteur 200W (PC)
- -55°C la température ambiante de jonction de +150°C
DÉSIGNATIONS ET SCHÉMA DE PIN
CONTOUR DE PAQUET DE TO-263HV
CONTOUR DE PAQUET DE TO-268HV
Bâti extérieur IXBT14N300HV du module 3000V 38A 200W de transistor de TO-268HV IGBT
Inquiry Cart
0