Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264
Number modèle:IXYK110N120A4
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max):375 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):900 A
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Shenzhen China
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IXYK110N120A4 IGBT pinte 1200 V 375 A W 1360 par le trou TO-264 (IXYK)
Fossé 650V d'IXYS 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs
Le fossé 650V d'IXYS 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs sont développés utilisant une technologie de propriété industrielle de mince-gaufrette de XPT et un 4ème processus de pointe du fossé IGBT de la génération (GenX4™). La caractéristique bipolaire de ces transistors d'isoler-porte a réduit la résistance thermique, les déperditions basse d'énergie, la commutation rapide, le bas courant de queue, et les densités forte intensité. Les dispositifs montrent la rugosité exceptionnelle pendant la commutation et dans des conditions de court-circuit.Ces l' travers-trou IGBTs offrent également polarisation d'inversion carrée les régions de fonctionnement sûr (RBSOA) jusqu' la tension claque de 1200V, les rendant idéaux pour des applications sans séparateur de dur-commutation. Ultra le bas-vs'est reposéIGBT fournit jusqu' la commutation 5kHz. Le fossé IGBTs de génération d'IXYS XPT 4ème incluent un coefficient de température positif de tension de collecteur--émetteur. Ceci permet des concepteurs d'utiliser les dispositifs multiples en parallèle pour rencontrer les conditions forte intensité et les bas frais de porte, qui aident réduire des conditions d'entraînement de porte et des pertes de changement.
Les applications typiques incluent des chargeurs de batterie, des ballasts de lampe, des commandes de moteur, des inverseurs de puissance, des circuits de la compensation de phase (PFC), des alimentations d'énergie de commutateur-mode, des alimentations d'énergie non interruptible (UPS), et des machines de soudure.
CARACTÉRISTIQUES
- Développé utilisant la technologie de propriété industrielle de mince-gaufrette de XPT et le 4ème processus du fossé IGBT de la génération de situation actuelle (GenX4™)
- Basses tensions de sur-état - VCE (s'est reposé)
- Jusqu' la commutation 5kHz
- Coefficient thermique positif de VCE (s'est reposé)
- Optimisé pour la commutation ultra-rapide (jusqu' 60kHz)
- Capacité de court-circuit (10µs)
- Place RBSOA
- Diodes antiparallèles ultra-rapides (Sonic-FRD™)
- capacités de Dur-commutation
- Densités de puissance élevée
- Stabilité de température de la tension en avant V de diodeF
- Basses conditions d'entraînement de porte
- Forfaits standards internationaux
APPLICATIONS
- Chargeurs de batterie
- Ballasts de lampe
- Commandes de moteur
- Inverseurs de puissance
- Circuits de PFC
- alimentations d'énergie de Commutateur-mode
- UPS
- Machines de soudure
CARACTÉRISTIQUES
- Terrain communal
- 1200V VCES
- 20A IC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1.9V VCE (s'est reposé)
- 160ns tfi (type)
- IXYA20N120B4HV
- ≤2.1V VCE (s'est reposé)
- 90ns tfi (type)
- IXYA20N120C4HV
- ≤2.5V VCE (s'est reposé)
- 58ns tfi (type)
Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264
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