Type libre du substrat N de GaN ou semi - isolant pour le rf, la puissance, menée et le LD

Substrat libre de GaN, type de N, semi-isolants pour le rf, la puissance, menée et le LD

Substrat libre de GaN

PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) le   libre de gaufrette de substrat de   de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.

Spécifications de substrat libre de GaN

Montre ici des spécifications de détail :

substrat libre de GaN de 2 ″ (50.8mm) (nitrure de gallium)

substrat libre de GaN de 1,5 ″ (38.1mm)

15mm, 10mm, substrat libre de 5mm GaN

Note :

Gaufrette de validation : Considérer la commodité de l'utilisation, gaufrette de validation de saphir de ″ de l'offre 2 de PAM-XIAMEN pour en-dessous du substrat libre de GaN de taille de 2 ″

Application de substrat de GaN

Éclairage semi-conducteur : Des dispositifs de GaN sont utilisés en tant que diodes électroluminescentes de luminosité ultra intense (LED), TV, automobiles, et éclairage général

Stockage de DVD : Diodes lasers bleues

Dispositif de puissance : Des dispositifs de GaN sont utilisés en tant que divers composants dans l'électronique de puissance de haute puissance et haute fréquence comme les stations de base, les satellites, les amplificateurs de puissance, et les inverseurs/convertisseurs cellulaires pour des véhicules électriques (EV) et des véhicules électriques hybrides (HEV). La basse sensibilité de GaN aux rayonnements ionisants (comme d'autres nitrures de groupe III) lui fait un matériel approprié pour des applications capable de supporter l'espace telles que des rangées de pile solaire pour des satellites et des dispositifs de haute puissance et haute fréquence pour la communication, le temps, et des satellites de surveillance

Idéal pour la recroissance d'III-nitrures

Stations de base sans fil : Transistors de puissance de rf

Access bande large sans fil : MMICs haute fréquence, Rf-circuits MMICs

Capteurs de pression : MEMS

Capteurs de la chaleur : détecteurs Pyro-électriques

Conditionnement de puissance : Intégration des messages mélangés GaN/Si

Électronique automobile : L'électronique hautes températures

Lignes de transport d'énergie : L'électronique haute tension

Capteurs de cadre : Détecteurs UV

Piles solaires : L'espace de bande large de GaN couvre le spectre solaire de 0,65 eV l'eV 3,4 (qui est pratiquement le spectre solaire entier), préparant la nitrure de gallium d'indium

(InGaN) allie parfait pour créer le matériel de pile solaire. En raison de cet avantage, des piles solaires d'InGaN développées sur des substrats de GaN sont portées en équilibre pour devenir une des nouvelles demandes et du marché de croissance les plus importants de gaufrettes de substrat de GaN.

Idéal pour des HEMTs, FETs

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de semi-conducteur de matériel de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie de intégration, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont le champ deux principal : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN dessus sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés d'examen médical, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique fait la société ont des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.