La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode

N-canal ultra-rapide de transistor de G40N60UFD IGBT avec construit dans la diode 600V 40A 160W, TO-3P

Descriptions :

La série de l'UFD de Fairchild de transistors bipolaires (IGBTs) de porte Insulated fournit de basses pertes de conduction et de commutation. La série d'UFD est conçue pour des applications telles que le contrôle de moteur et les inverseurs généraux où la commutation grande vitesse est une caractéristique exigée.

Caractéristiques : 

• Commutation grande vitesse
• Basse tension de saturation : VCE (reposé) = 2,3 V @ IC = 20A
• Impédance élevée d'entrée
• CO-PAK, IGBT avec FRD : trr = 50ns (type.).

Applications :

Contrôles de moteur C.A. et de C.C, inverseurs d'usage universel, robotique, et contrôles servo.

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