Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi

Number modèle:IPD90R1K2C3
Point d'origine:LA CHINE
Nombre plus probable:IPD90R1K2C3
MFR:Infineon
Catégorie:MOSFET
Taille:2.41*6.73*6.22mm
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Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R de transport d'IPD90R1K2C3 Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHSConforme avec l'exemption
ECCN (US)EAR99
Statut de partieActif
SVHCOui
SVHC dépasse le seuilOui
Des véhicules moteurNon
PPAPNon
Catégorie de produitTransistor MOSFET de puissance
ConfigurationSimple
Technologie transformatriceCoolMOS
Mode de la MancheAmélioration
Type de la MancheN
Nombre d'éléments par puce1
Tension maximum de source de drain (v)900
Tension de source de porte maximum (v)±20
Tension maximum de seuil de porte (v)3,5
La température de jonction fonctionnante (°C)-55 150
Drain continu maximum (a) actuel5,1
Courant maximum de fuite de source de porte (Na)100
IDSS maximum (uA)1
Résistance maximum de source de drain (MOhm)1200@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte28@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte28
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée710@100V
Dissipation de puissance maximum (mW)83000
Temps typique d'automne (NS)40
Temps de montée typique (NS)20
Temps de retard d'arrêt typique (NS)400
Temps de retard d'ouverture typique (NS)70
Température de fonctionnement minimum (°C)-55
Température de fonctionnement maximum (°C)150
EmballageBande et bobine
Tension de source de porte positive maximum (v)20
Tension en avant de diode maximum (v)1,2
Pin Count3
Nom de forfait standardTO-252
Paquet de fournisseurDPAK
SupportBti extérieur
Taille de paquet2,41 (maximum)
Longueur de paquet6,73 (maximum)
Largeur de paquet6,22 (maximum)
La carte PCB a changé2
ÉtiquetteÉtiquette
Forme d'avanceMouette-aile
China Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi supplier

Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi

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