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Transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF
Caractéristiques du produit :
• Mode d'amélioration de N-canal
• 100V, 37A, le RDS (dessus) = 0.065Ω
• Basse charge de porte (type. 11nC)
• Bas Crss (type. 0.13A)
• Commutation rapide
• RoHS conforme
• Sans plomb
• Sans halogène
Description de produit :
L'IRFB4229PBF est un transistor MOSFET de N-canal conçu pour des applications de changement de puissance. Il comporte une sur-résistance de 0.065Ω, une estimation actuelle de 37A, et une tension de fonctionnement de 100V. Le dispositif a une basse charge de porte de 11nC et d'un bas Crss de 0.13A. C'est RoHS conforme et sans plomb/sans halogène.
Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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46mOhm @ 26A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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110 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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4560 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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330W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-40°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/cas
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Nombre bas de produit
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