Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor MOSFET d'IRFB4229PBF dans perte à haute fréquence à forte intensité de l'électronique de puissance la basse

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Transistor MOSFET d'IRFB4229PBF dans perte à haute fréquence à forte intensité de l'électronique de puissance la basse

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Number modèle :IRFB4229PBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :Infineon Technologies
Fabricant Product Number :IRFB4229PBF
Description :Transistor MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 250 V 46A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF

 

Caractéristiques du produit :

 

• Mode d'amélioration de N-canal
• 100V, 37A, le RDS (dessus) = 0.065Ω
• Basse charge de porte (type. 11nC)
• Bas Crss (type. 0.13A)
• Commutation rapide
• RoHS conforme
• Sans plomb
• Sans halogène

 

Description de produit :

 

L'IRFB4229PBF est un transistor MOSFET de N-canal conçu pour des applications de changement de puissance. Il comporte une sur-résistance de 0.065Ω, une estimation actuelle de 37A, et une tension de fonctionnement de 100V. Le dispositif a une basse charge de porte de 11nC et d'un bas Crss de 0.13A. C'est RoHS conforme et sans plomb/sans halogène.

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
110 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4560 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
330W (comité technique)
Température de fonctionnement
-40°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
TO-220AB
Paquet/cas
Nombre bas de produit

 

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