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Transistor MOSFET d'IRFB4229PBF dans perte à haute fréquence à forte intensité de l'électronique de puissance la basse

Transistor MOSFET d'IRFB4229PBF dans perte à haute fréquence à forte intensité de l'électronique de puissance la basse

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Transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF Caractéristiques du produit : • Mode d'amélioration de N-canal • 100V, 37A, le RDS (dessus) = 0.065Ω • ...

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