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BSS123LT1G MOSFET canal N faible 170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Idéal pour la commutation de charges à faible puissance et la conversion CC-CC grâce à son boîtier SOT-23 et sa protection ESD
Caractéristiques
•HBM Classe 0A, MM Classe M1B (Note 4)
•Préfixe BVSS pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de site et de contrôle des changements ; AEC−Q101 qualifié et PPAP capable
•Ces appareils sont sans plomb et conformes à la directive RoHS
Applications
Commutation de charge : Contrôle de l'activation/désactivation de l'alimentation pour des sections d'un circuit.
Décalage de niveau : Conversion de signaux entre des circuits de domaines de tension différents (par exemple, conversion d'un signal de 3,3 V en 5 V).
Pilotage de LED : Agir comme un interrupteur pour contrôler les états marche/arrêt des LED ou pour une gradation PWM simple.
Mise en mémoire tampon/pilotage d'interface logique : Amélioration de la capacité de pilotage des broches GPIO de microcontrôleur pour piloter des charges plus importantes.
Commutation à grande vitesse : Utilisé dans la rectification synchrone côté secondaire dans les alimentations à découpage, les convertisseurs CC-CC (faible puissance).
Électronique grand public : Appareils portables comme les téléphones mobiles, les tablettes, les appareils photo numériques.
Électronique automobile : Modules de contrôle de carrosserie, interfaces de capteurs, etc. (Remarque : vérifiez si la pièce spécifique est qualifiée AEC ; le BSS123LT1G est généralement de qualité industrielle/commerciale).
Description
1 : Tension de seuil faible (Vgs(th)) : Généralement entre 1,6 V et 2,1 V, ce qui signifie qu'il peut être piloté directement par de faibles tensions (par exemple, 3,3 V ou même 2,5 V
GPIO d'un microcontrôleur), ce qui le rend idéal pour les applications de niveau logique.
2 : Faible résistance à l'état passant (RDS(on)) : Maximum de seulement 6Ω à 10 V Vgs et 10Ω à 4,5 V Vgs. Une RDS(on) plus faible signifie moins de perte de puissance et de tension
chute lors de la commutation, ce qui conduit à un rendement plus élevé.
3 : Petit boîtier (SOT-23) : Très faible encombrement, ce qui permet d'économiser de l'espace sur le circuit imprimé, idéal pour l'électronique compacte moderne.
4 : Performances de commutation à grande vitesse : Comporte des vitesses de commutation rapides, adaptées aux applications nécessitant une commutation fréquente, telles que la PWM
contrôle.
5 : Courant de drain continu (Id) : Jusqu'à 170 mA, adapté au contrôle de petites charges comme les LED, les petits relais, les moteurs, etc.
6 : Tension drain-source (Vdss) : Maximum de 100 V, permettant son utilisation dans des circuits avec des tensions relativement plus élevées.
INFORMATION
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Catégorie
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Mfr
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Série
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-
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Emballage
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Ruban et bobine (TR)
Ruban coupé (CT)
Digi-Reel®
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Statut de la pièce
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Active
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Type de FET
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Technologie
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Tension drain-source (Vdss)
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100 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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6 Ohm @ 100 mA, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,6 V @ 1 mA
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Vgs (Max)
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±20 V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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20 pF @ 25 V
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Fonctionnalité FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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225 mW (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grade
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-
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Qualification
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-
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Type de montage
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Montage en surface
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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SOT-23-3 (TO-236)
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
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Liste de produits
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