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Accueil / produits / Integrated Circuit Components / BSS123LT1G MOSFET canal N faible 170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V, testé en avalanche, idéal pour la commutation de charges à faible puissance et la conversion CC-CC grâce à son boîtier SOT-23 et sa protection ESD. /

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BSS123LT1G MOSFET canal N faible 170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V, testé en avalanche, idéal pour la commutation de charges à faible puissance et la conversion CC-CC grâce à son boîtier SOT-23 et sa protection ESD.
BSS123LT1G MOSFET canal N faible 170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V, testé en avalanche, idéal pour la commutation de charges à faible puissance et la conversion CC-CC grâce à son boîtier SOT-23 et sa protection ESD.
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