KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS6G2735L-30,112

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS6G2735L-30,112

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Numéro de la pièce :BLS6G2735L-30,112
Fabricant :Ampleon USA Inc.
Description :FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A de RF
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques BLS6G2735L-30,112

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 3.1GHz | 3.5GHz
Gain 13dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 30W
Tension - évaluée 60V
Paquet/cas SOT-1135A
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLS6G2735L-30,112

Détection

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