produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / IGBT Transistor Module /

Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein

Catégories de produits

Circuits intégrés IC

 [55]

Logique programmable IC

 [15]

Diode Zener IC

 [16]

Rf Pin Diode

 [16]

Diode de composant électronique

 [17]

Relais à semi-conducteur

 [15]

Module de transistor d'IGBT

 [20]

Connecteurs d'entrée-sortie

 [15]

Condensateurs en céramique multicouche

 [10]

Coupleur optique d'entraînement de porte

 [16]

Microphone de Digital Mems

 [11]

Fan Tubeaxial

 [10]

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

 [10]

Obstructions communes de mode

 [10]

Relais d'usage universel

 [18]

Connecteurs standard de sous-marin de D

 [10]

Gestion IC de puissance

 [12]
Contacter
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.
Visitez le site Web
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:Missalphademo@maoyt.com
Coordonnées du contact
Contacter
China Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein wholesale
  • China Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein wholesale

Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein
Demander le dernier prix
Number modèle :VS-GT75YF120NT
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :118 A
Puissance - Max :431 W
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :2.6V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) :100 µA
Température de fonctionnement :-40°C ~ 150°C (TJ)
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Bâti de châssis du pont 1200 V 118 A 431 W d'arrêt de champ de fossé de module de VS-GT75YF120NT IGBT plein

Modules de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack

Les modules de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack sont arrêt IGBTs de gisement de porte de fossé avec RBSOA carré. Les modules comportent HEXFRED® bas Qrr, basse énergie de changement, et coefficient de température positif de VCE (sur). Les dispositifs ont également une plaque de base de cuivre, basse conception égarée d'inductance, et sont conçus et qualifiés pour les marchés industriels.

CARACTÉRISTIQUES

  • Arrêt IGBT de gisement de porte de fossé
  • Place RBSOA
  • HEXFRED® bas Qrr, basse énergie de changement
  • Coefficient de température positif de VCE (dessus)
  • Plaque de base de cuivre
  • Basse conception égarée d'inductance
  • Conçu et qualifié pour les marchés industriels

APPLICATIONS

  • Efficacité de référence pour la soudure d'à haute fréquence d'appréciation de SMPS en particulier
  • Représentation passagère rocailleuse
  • Le bas IEM, exige rebrouer moins
Mots clés du produit:

h bridge igbt

full h bridge mosfet driver

half bridge igbt
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4