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Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein

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Bâti de châssis du pont 1200 V 118 A 431 W d'arrêt de champ de fossé de module de VS-GT75YF120NT IGBT pleinModules de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT ...

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h bridge igbt full h bridge mosfet driver half bridge igbt

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