Catégories de produits

Circuits intégrés IC

[55]

Logique programmable IC

[15]

Diode Zener IC

[16]

Rf Pin Diode

[16]

Diode de composant électronique

[17]

Relais à semi-conducteur

[15]

Module de transistor d'IGBT

[20]

Connecteurs d'entrée-sortie

[15]

Condensateurs en céramique multicouche

[10]

Coupleur optique d'entraînement de porte

[16]

Microphone de Digital Mems

[11]

Fan Tubeaxial

[10]

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

[10]

Obstructions communes de mode

[10]

Relais d'usage universel

[18]

Connecteurs standard de sous-marin de D

[10]

Gestion IC de puissance

[12]

Contacter

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Visitez le site Web

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:Missalphademo@maoyt.com

Coordonnées du contact

Contacter

Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein

produits détaillés

Bâti de châssis du pont 1200 V 118 A 431 W d'arrêt de champ de fossé de module de VS-GT75YF120NT IGBT plein Modules de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT ...

voir produits détaillés →

Mots clés du produit:

h bridge igbt full h bridge mosfet driver half bridge igbt

show pictures

Circuits intégrés IC

Logique programmable IC

Diode Zener IC

Rf Pin Diode

Diode de composant électronique

Relais à semi-conducteur

Module de transistor d'IGBT

Connecteurs d'entrée-sortie

Condensateurs en céramique multicouche

Coupleur optique d'entraînement de porte

Microphone de Digital Mems

Fan Tubeaxial

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

Obstructions communes de mode

Relais d'usage universel

Connecteurs standard de sous-marin de D

Gestion IC de puissance

Bâti de châssis du pont 1200V 118A 431W de module de transistor de VS-GT75YF120NT IGBT plein