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MMBT3904 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Caractéristiques • Epitaxial Planar Die Construction • Type de PNP complémentaire disponi...
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Les IC ébrèchent IAUT260N10S5N019 les transistors extérieurs de bâti du N-canal 100V 260A 300W Description de produit d'IAUT260N10S5N019 IAUT26...
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Bâti de surface du transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW des transistors rf de BFS505 NPN PNP NPN transistor de bande large de 9 gigahertz CARAC...
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MMDT4401 Transistor à double NPN à petite surface de signal Caractéristiques 1.Construction de la matrice plane épitaxienne 2Idéal pour l'amplif...
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MMBT3904 TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE BÂTI DE PETIT SIGNAL DE NPN Caractéristiques • Planaires épitaxiaux meurent construction ? • Type complém...
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Transistor de puissance de HMC326MS8GETR rf - linéarité élevée de puissance élevée HMC326MS8GETR, pHEMT de GaAs, transistor de puissance de rf...
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Nouvelles diodes originales SOT-23 (SOT-23-3) LN2302BLT1G de transistor MOSFET de transistor Produits Description : 1. sur-résistance exceptionnelle...
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LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES DU TRANSISTOR BCX53 BIPOLAIRE APPRÊTENT BÂTI, POSITION Type de paquet : Bâti extérieur, se tenant Gar...
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CNAMPFORT Disposable 1206 (3216 métrique) Monture de surface haute tension Fuseaux céramiques 3,5A 5A 250V Pour la protection contre le surcourant A...
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Bâti RoHS de surface du N-canal 55V 17A 45W d'IRFR024NTRPBF D-PAK conformeCaractéristiquel Sur-résistance très réduitel bâti de surface (IRFR024N)l av......
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1N4148W-7-F Diodes 300mA (DC) Montage en surface standard -65°C ~ 150°C SOD-123 évalué sur une température de −40°C à +105°C Descriptio...
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Description de produitDétail de produit Statut de partieObsolète Type de transistorNPN Actuel - collecteur (IC) (maximum)800mA Tension - panne de col......
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La description extérieure de transistor de la Manche du paquet N de bâti de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor ......
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Manche de la Manche 2 du transistor MOSFET DMN5L06DWK7 transistors de smd de kdk de signal de la double N les petits apprêtent des transistors de mode......
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Le transistor d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal de NX7002AK NEXPERIA (FET) dans un petit SOT23 (TO-236AB) Surface-a monté DSpécificat......
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Bâti extérieur TO-263HV d'IXGA20N250HV IGBT 2500 V 30 A 150 WIXYS IXGA20N250HV IGBT à haute tensionIXYS IXGA20N250HV IGBT à haute tension (transisto......
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Bâti extérieur SOT-223 S525T de VISHAY IC S525T-GS08 Produit Paramenters Fabricant : Vishay Catégorie de produit : Transis...
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