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transistor extérieur de bâti

1 - 20 Résultats pour transistor extérieur de bâti de 2181 produits

Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD Transistor extérieur de bâti de MMBT3906 SOT-23 PNP MMBT3906 SOT-23 ......

Time : Sep,11,2023
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MMBT3904 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Caractéristiques • Epitaxial Planar Die Construction • Type de PNP complémentaire disponi...

Time : May,31,2024
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Les IC ébrèchent IAUT260N10S5N019 les transistors extérieurs de bâti du N-canal 100V 260A 300W Description de produit d'IAUT260N10S5N019 IAUT26...

Time : Nov,28,2024
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Bâti de surface du transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW des transistors rf de BFS505 NPN PNP NPN transistor de bande large de 9 gigahertz CARAC...

Time : May,31,2024
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MMDT4401 Transistor à double NPN à petite surface de signal Caractéristiques 1.Construction de la matrice plane épitaxienne 2Idéal pour l'amplif...

Time : Nov,19,2024
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MMBT3904 TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE BÂTI DE PETIT SIGNAL DE NPN Caractéristiques • Planaires épitaxiaux meurent construction ? • Type complém...

Time : Dec,01,2024
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Transistor de puissance de HMC326MS8GETR rf - linéarité élevée de puissance élevée HMC326MS8GETR, pHEMT de GaAs, transistor de puissance de rf...

Time : Nov,30,2024
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Nouvelles diodes originales SOT-23 (SOT-23-3) LN2302BLT1G de transistor MOSFET de transistor Produits Description : 1. sur-résistance exceptionnelle...

Time : Nov,24,2024
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LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES DU TRANSISTOR BCX53 BIPOLAIRE APPRÊTENT BÂTI, POSITION Type de paquet : Bâti extérieur, se tenant Gar...

Time : Nov,27,2024
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Bâti RoHS de surface du N-canal 55V 17A 45W d'IRFR024NTRPBF D-PAK conformeCaractéristiquel Sur-résistance très réduitel bâti de surface (IRFR024N)l av......

Time : Nov,30,2024
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Description de produitDétail de produit Statut de partieObsolète Type de transistorNPN Actuel - collecteur (IC) (maximum)800mA Tension - panne de col......

Time : Dec,02,2024
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1N4148W-7-F Diodes 300mA (DC) Montage en surface standard -65°C ~ 150°C SOD-123 évalué sur une température de −40°C à +105°C Descriptio...

Time : Nov,29,2024
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La description extérieure de transistor de la Manche du paquet N de bâti de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor ......

Time : Aug,30,2019
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Fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: Transistors MOSFET de canal N 60V13.5A Montage de surface du MOSFET SOP8 4264 Catégorie...

Time : Aug,28,2025
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