Accueil / produits / Silicon Wafer / Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini /

show pictures

Catégories de produits

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

Contacter

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Visitez le site Web

Ville:shanghai

Province / État:shanghai

Pays / Région:china

Contact:Xiwen Bai (Ciel)

Coordonnées du contact

Contacter

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

produits détaillés

Gaufrette de silicium de deux pouces de dispositifs discrets P/E, P/P, E/E, extérieur de G/G fini dispositifs de deux pouces de la gaufrette de ...

voir produits détaillés →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4