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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrDavid Lee

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8H02ETS conjuguent charge de porte du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N basse 20V

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Point d'origine :Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs

Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte

Délai de livraison :1 - 2 semaines

Conditions de paiement :L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour

Numéro de type :8H02ETS

Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET

VDSS :6,0 A

Application :Gestion de puissance

D'entité :Basse charge de porte

Transistor de transistor MOSFET de puissance :SOT-23-6L Plastique-s'encapsulent

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transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20V N+N-Channel

DESCRIPTION

La technologie avancée du fossé 8H02ETSuses à

fournissez l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et

opération avec des tensions de porte aussi basses que 2.5V.

CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES

VDS = 20V, IDENTIFICATION = 7A

8H02TS LE RDS (DESSUS) < 28m="">

LE RDS (DESSUS) < 26m="">

LE RDS (DESSUS) < 22m="">

LE RDS (DESSUS) < 20m="">

Estimation d'ESD : 2000V HBM

Application

Protection de batterie

Gestion de puissance de commutateur de charge

Inscription et information de commande de paquet

Identité de produit	Paquet	Repérage	Quantité (PCS)
8H02ETS	TSSOP-8	8H02ETS WW YYYY	5000/3000

CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Limite	Unité
Tension de Drain-source	VDS	20	V
Tension de Porte-source	VGS	±12	V
Vidangez Current-Continuous@ Actuel-a palpité (note 1)	Identification	7	V
Dissipation de puissance maximum	Palladium	1,5	W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage	TJ, TSTG	-55 à 150	℃
Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2)	RθJA	83	℃/W

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)

NOTES : 1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum. 2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t. 3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation. 4. garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

8H02ETS conjuguent charge de porte du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N basse 20V

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