Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor MOSFET à canal double

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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 Transistor MOSFET à canal double

FS2A PAR le transistor MOSFET à canal double de FS2M expédient à courant -2,0 ampères

FS2A PAR FS2M SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-2.0Ampere CARACTÉRISTIQUE Le paquet en plastiqu
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FS1A PAR la tension inverse à canal double de transistor MOSFET de FS1M - 50 à 1000 volts

FS1A PAR LE BÂTI de SURFACE de FS1M JEÛNENT tension inverse de REDRESSEUR de RÉCUPÉRATION - 50 à 1000 volts de courant en avant -1,0 ampères C
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Tension de blocage à forte intensité de C.C du transistor MOSFET TO-220-3L 30-50v de MBR1030CT

MBR1030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT TO-220-3L Plastique-encapsulent des diodes CARACTÉRISTIQUE Puce de barrière de Schottky Pert
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MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

MBR1030,35,40,45,50 TO-220A Plastique-encapsulent le pont redresseur de Schottky de diodes CARACTÉRISTIQUE Puce de barrière de Schottky
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FR601 PAR le courant en avant à haute fréquence du transistor MOSFET FR607 - 6,0 ampères

FR601 PAR la tension inverse de REDRESSEURS RAPIDES de la RÉCUPÉRATION FR607 - 50 à 1000 volts en avant d'actuel - 6,0 ampères COMPORTENT le paquet en ...
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FR301 PAR le transistor MOSFET FR307 à canal double expédient le courant - 3,0 ampères

FR301 PAR FR307 JEÛNENT tension inverse de REDRESSEURS de RÉCUPÉRATION - 50 à 1000 volts de courant en avant - 3,0 ampères CARACTÉRISTIQUE
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FR301 PAR le transistor MOSFET de mode de l'amélioration FR307, transistor MOSFET à haute tension de puissance

FR301 PAR FR307 JEÛNENT tension inverse de REDRESSEURS de RÉCUPÉRATION - 50 à 1000 volts de courant en avant - 3,0 ampères CARACTÉRISTIQUE
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RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

RS3A PAR LE REDRESSEUR DU BÂTI FASTRE COVERY DE SURFACE DE RS3M CARACTÉRISTIQUE Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants C
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RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07

RS2A PAR LE BÂTI de SURFACE de RS2M JEÛNENT tension inverse de REDRESSEUR de RÉCUPÉRATION - 50 à 1000 volts de courant en avant -2,0 ampères C
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Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m

RS1A PAR le passe-fils intégré de BÂTI de RS1M de RÉCUPÉRATION de CARACTÉRISTIQUE RAPIDE EXTÉRIEURE de REDRESSEUR, idéal pour la soudure à hautes temp...
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