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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Mos Field Effect Transistor

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Province / État:guangdong
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 Mos Field Effect Transistor
China matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche de 60V Mos Field Effect Transistor N for sale

matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche de 60V Mos Field Effect Transistor N

< récapitulatif de l'identification du produit VDS 60V d'AlphaSGT HXY4264 du N-canal 60V (à VGS=10V) 13.5A le RDS (DESSUS) (à VGS=10V) ; < de 9.8mΩ le ...
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China Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v for sale

Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v

60V N-canal AlphaSGT HXY4266 Résumé de produit VDS 60V Identification (à VGS=10V) 11A Le RDS (DES
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China Charge de porte de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low pour l'application de changement for sale

Charge de porte de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low pour l'application de changement

< récapitulatif de l'identification du produit VDS 30V d'AlphaSGT HXY4264 du N-canal 60V (à VGS=10V) 8.5A le RDS (DESSUS) (à VGS=10V) ; < de 24mΩ le ....
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China Identification 13A le RDS de transistor à effet de champ de MOS de HXY4406A VDS 30V (DESSUS) < 11.5mΩ for sale

Identification 13A le RDS de transistor à effet de champ de MOS de HXY4406A VDS 30V (DESSUS) < 11.5mΩ

60V N-canal AlphaSGT HXY4264 Résumé de produit VDS 30V Identification (à VGS=10V) 13A Le RDS
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China Type de HXY4410 N commutation de charge de transistor pour des applications portatives for sale

Type de HXY4410 N commutation de charge de transistor pour des applications portatives

produit VDS récapitulatif (v) = 30V I d'AlphaSGT HXY4264 du N-canal 60V = < de 18A D le RDS (DESSUS) ; < du Ω de 11m (VGS = 10V) le RDS (DESSUS) ; la ...
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China La Manche VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor N à faible bruit for sale

La Manche VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor N à faible bruit

produit VDS récapitulatif 30V I d'AlphaSGT HXY4264 du N-canal 60V = 10A < de VGS = de 10V) le RDS (DESSUS) ; < de 23mΩ (VGS = 10V) le RDS (DESSUS) ; ....
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China Transistor de puissance du transistor MOSFET HXY2300, commutation rapide de transistor à effet de champ for sale

Transistor de puissance du transistor MOSFET HXY2300, commutation rapide de transistor à effet de champ

SOT-23 Plastique-encapsulent le < récapitulatif du mΩ@ 4.5V 5,0 A du produit VDSS= LE RDS (dessus) V ID= 32 des TRANSISTORS MOSFET HXY2300 ; VGS = < ....
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China Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N for sale

Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET du N-canal 20-V (D-S) des TRANSISTORS MOSFET HXY2302Z Résumé de produit Le RDS (des
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China transistor de puissance du transistor MOSFET 11A, commutation à haute fréquence de transistor de puissance élevée for sale

transistor de puissance du transistor MOSFET 11A, commutation à haute fréquence de transistor de puissance élevée

< récapitulatif du produit VDSS= V ID= 3,6 A 30 z le RDS d'AlphaSGT HXY4266 du N-canal 60V (dessus) ; mΩ@VGS = 10 < de V 65 z le RDS (dessus) ; les .....
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China Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé for sale

Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET de N-canal des TRANSISTORS MOSFET HXY2308 Résumé de produit VDSS= V ID= 3,0 A 60 Le RD
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