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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Province / État:guangdong
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China Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé wholesale
  • China Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé wholesale

Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé
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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :HXY2308
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
LE RDS (DESSUS) :136mΩ
D'entité :Paquet extérieur de bâti
Application :Commutateur de batterie
Type :Transistor de transistor MOSFET
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SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET de N-canal des TRANSISTORS MOSFET HXY2308

 

Résumé de produit

 

VDSS= V ID= 3,0 A 60

Le RDS (dessus) 120mΩ@ 10 V < VGS="
Le RDS (dessus) < 136m="">

 

CARACTÉRISTIQUE
 
puissance élevée de  et capacité de remise actuelle
le produit sans plomb de  est acquis
paquet de bâti de surface de 
 
 

 

Applications

 

commutateur de batterie de 

convertisseur du  DC/DC

 

 

Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 
Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé
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