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Transistor de puissance de transistor MOSFET

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 Transistor de puissance de transistor MOSFET

Double N type haute performance du transistor MOSFET HXY4812 du commutateur à forte intensité 

HXY4812 0V conjuguent transistor MOSFET de N-canal Description générale La technologie avancée de fossé des utilisations HXY4812 à f
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Drain continu 6.5A actuel de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4812 30V

HXY4812 30V conjuguent transistor MOSFET de N-canal Description générale La technologie avancée de fossé d'utilisations de HXY4822A à
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Commutateur de transistor MOSFET de logique de HXY9926A, Manche du commutateur électrique de transistor MOSFET la double N ±1.2v VGS

La description générale de transistor MOSFET de double N-canal de HXY9926A 20V Le HXY9926A emploie la technologie avancée de fossé pour fournir à l......
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8205A conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

8205A SOT-23-6L Plastique-encapsulent la description générale VDSS= V ID= 6,0 A z 20 G1 6 D1, < de transistor MOSFET de double N-canal de TRANSISTORS ...
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8H02ETS conjuguent charge de porte du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N basse 20V

transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20V N+N-Channel DESCRIPTION La technologie avancée du fossé 8H02ETSuses à fournissez l'e
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12H02TS conjuguent transistor MOSFET de la Manche de N commutent l'alimentation de l'énergie 20V non interruptible

La description de transistor MOSFET de mode d'amélioration de 12H02TS 20V N+N-Channel Le 12H02TS emploie la technologie avancée de fossé pour fournir ...
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8205 le plastique du transistor de puissance de transistor MOSFET TSSOP-8 s'encapsulent pour la gestion de puissance

8205S TSSOP-8 Plastique-encapsulent des TRANSISTORS MOSFET Description générale VDSS= V ID= 6,0 A 20 z le RDS (dessus)
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Charge de porte de double de transistor MOSFET de 5G03SIDF 30V basse bâti extérieur de commutateur

La description de transistor MOSFET de mode d'amélioration de 5G03SIDF 30V N+P-Channel Le 5G03S/DF emploie la technologie avancée de fossé pour ...
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Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

La description de transistor MOSFET de mode d'amélioration de 6G03S 30V N+P-Channel Le 6G03S emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l......
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10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

La description de transistor MOSFET de mode d'amélioration de 10G03S 30V N+P-Channel Le 10G03S emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l....
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