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Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :6G03S
Product name :Mosfet Power Transistor
RDS(ON) :< 37mΩ
ID :6.5A
FEATURE :Low Gate Charge
VGS :-10V
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 6G03S 30V N+P-Channel

 

 

Description

Le fossé avancé des utilisations 6G03S

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a

le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre

applications

 

Caractéristiques générales

P-canal de N-canal

N-canal

VDS = 30V, ID =6.5A

RDS(DESSUS) < 16mΩ@ VGS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -7A

RDS(DESSUS) < 37mΩ @ VGS=-10V

Puissance élevée et capacité de remise actuelle

Le produit sans plomb est acquis

Paquet extérieur de bâti

 

 

Application

Application de commutation de puissance de ●

Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●

Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

 

Inscription et information de commande de paquet

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Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
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Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

 

Notes :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production
 
 
caractéristiques électriques de la Manche de 30V N+P-Channel EnhancemeN- et thermiques typiques (courbes)
 
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