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10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :10G03S
Product name :Mosfet Power Transistor
Type :mosfet transistor
Junction temperature :150℃
Application :Power switching application
Features :Lead free product is acquired
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 10G03S 30V N+P-Channel

 

 

Description

Le fossé avancé des utilisations 10G03S

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a

le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre

applications

 

Caractéristiques générales

N-canal

VDS = 30V, ID =10A

RDS(DESSUS) < 16m Ω@ VGS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -9A

RDS(DESSUS) < 37mΩ@ VGS=-10V

Puissance élevée et capacité de remise actuelle

Le produit sans plomb est acquis

Paquet extérieur de bâti

 

Application

Application de commutation de puissance de ●

Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●

Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET
 
Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

 

 

Caractéristiques électriques de P-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 
10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET
Notes :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production
 
Caractéristiques typiques de N-canal
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Caractéristiques typiques de P-canal
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Mots clés du produit:
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