
Add to Cart
Résumé de produit
MΩ@ 4.5V 5,0 de VDSS= LE RDS (dessus) V ID= 32 A < VGS = z le RDS (dessus) < mΩ@VGS = 2.5V 40 z z 20 40 mΩ@VGS de z le RDS (dessus) < 53 = 1.8V |
APPLICATION
commutation de charge de z de convertisseurs du z DC/DC pour des applications portatives
CARACTÉRISTIQUE
transistor MOSFET de puissance de TrenchFET de z
Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)