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Transistor de puissance du transistor MOSFET HXY2300, commutation rapide de transistor à effet de champ

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor de puissance du transistor MOSFET HXY2300, commutation rapide de transistor à effet de champ

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY2300
Product name :Mosfet Power Transistor
VDSS :20V
Material :Silicon
Power Mosfet Transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate
Type :mosfet transistor
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SOT-23 Plastique-encapsulent les TRANSISTORS MOSFET HXY2300

 

Résumé de produit

 

MΩ@ 4.5V 5,0 de VDSS= LE RDS (dessus) V ID= 32 A < VGS = z le RDS (dessus) < mΩ@VGS = 2.5V 40 z z 20 40 mΩ@VGS de z le RDS (dessus) < 53 = 1.8V


 

APPLICATION

 

commutation de charge de z de convertisseurs du z DC/DC pour des applications portatives

 

CARACTÉRISTIQUE

 

transistor MOSFET de puissance de TrenchFET de z

 

 

 

 

 

Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)

 

Transistor de puissance du transistor MOSFET HXY2300, commutation rapide de transistor à effet de champ

 

 

T =25 un sauf indication contraire
Transistor de puissance du transistor MOSFET HXY2300, commutation rapide de transistor à effet de champ
 
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