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Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :HXY2302Z
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
Transistor de transistor MOSFET de puissance :SOT-23 Plastique-s'encapsulent
TJ :150℃
Le RDS (DESSUS) < 23mΩ :(VGS = 10V)
Type :Transistor de transistor MOSFET
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SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET du N-canal 20-V (D-S) des TRANSISTORS MOSFET HXY2302Z

 

 

Résumé de produit

 
Le RDS (dessus)<60m>
Le RDS (dessus)<73m>
ID=2.3A
VDSS=20V
 
 
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N
 
 
T =25 un ℃ sauf indication contraire
 
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N
 
Caractéristique typique
 
 
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z NTransistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N
 
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