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Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m

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China Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m wholesale
  • China Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m wholesale

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :Rs1a
Type :Fast Recovery Rectifier Diode
FEATURE :For surface mounted applications
Polarity :Color band denotes cathode end
Weight :0.002 ounce, 0.07 grams
Product ID :FS1A THRU FS1M
Case :JEDEC DO-214AC molded plastic body over passivated chip
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RS1A PAR LE BÂTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure à hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m
RS1A PAR LE BÂTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-201AD de JEDEC
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
 
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4942 PAR 1N4948
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m
Mots clés du produit:

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