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RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :RS2A PAR RS2M
Type :diode de redresseur rapide de récupération
D'entité :Classification 94V-0 d'inflammabilité
Position de montage :tout
Poids :0,002 onces, 0,07 grammes
Identité de produit :RS2A PAR RS2M
Affaire :Corps en plastique moulé par DO-41 de JEDEC
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RS2A PAR LE BÂTI de SURFACE de RS2M JEÛNENT tension inverse de REDRESSEUR de RÉCUPÉRATION - 50 à 1000 volts de courant en avant -2,0 ampères


 

CARACTÉRISTIQUE
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure à hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
 
RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07
 
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-214AC de JEDEC au-dessus de puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07
 
 
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