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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrDavid Lee

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Tension de blocage à forte intensité de C.C du transistor MOSFET TO-220-3L 30-50v de MBR1030CT

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Point d'origine :Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs

Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte

Délai de livraison :1 - 2 semaines

Conditions de paiement :L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour

Numéro de type :MBR1030CT

Type :Puce de barrière de Schottky

D'entité :Capacité de crête élevée

Tension de blocage de C.C :30-50V

IFSM :125A

Identité de produit :MBR1030CT

Dissipation de puissance :2 W

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MBR1030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT TO-220-3L Plastique-encapsulent des diodes

CARACTÉRISTIQUE

Puce de barrière de Schottky

Perte de puissance faible, rendement élevé

L'anneau de garde meurent construction pour la protection passagère

Capacité de crête élevée

Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant

MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)

Tension de blocage à forte intensité de C.C du transistor MOSFET TO-220-3L 30-50v de MBR1030CT

ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)

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