Les utilisations HXY4616 avancées trench la technologie au RDS provideexcellent (DESSUS) et à la basse charge de porte. Thiscomplementary N et P creusent des rigoles des configurationis de transistor MOSFET idéaux pour de basses applications d'inverseur de tension d'entrée.

Caractéristiques électriques de N-canal (T=25°C sauf indication contraire)

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

A. La valeur du_θJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur 1in _A =25°C. que la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend du conseil spécifique du conseil design.2 FR-4 de l'utilisateur avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec T

B. La dissipation de puissance P_D est basée sur T_J(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s. C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction T_J(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder l'initialT_J=25°C.

D. _LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener le_θJLde R et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante qui est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de T_J(max) =150°C. la courbe de SOA fournit un ratin simple G. d'impulsion.

N-canal : CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES