Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Membre actif
6 Ans
Accueil / produits / Mosfet Power Transistor /

Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V

Contacter
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
Contacter

Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V

Demander le dernier prix
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :HXY4606
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS :30V
LE RDS (DESSUS) :< 30m="">
Numéro de type de VDS :HXY4606
Caractéristiques :Paquet extérieur de bâti
Affaire :Bande/plateau/bobine
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Transistor MOSFET complémentaire de HXY4606 30V

 

 

Description

 

Le HXY4606 emploie les technologyMOSFETs avancés de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et le bas gatecharge. Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être toform utilisé par commutateur latéral élevé décalé par niveau, et pour des applications d'un ofother de centre serveur.

 

 

Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V

 

 

Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V

 

A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec TA =25°C.

la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.

B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s. C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder l'initialTJ=25°C.

D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante qui est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ(max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.

 

 

N-canal : CARACTÉRISTIQUE ÉLECTRIQUE ET THERMIQUE TYPIQUE
 
Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V
 
 
Caractéristiques électriques de P-canal (TJ=25°C sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V
 
A. La valeur de RθJA est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec les VENTRES =25°C.
la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.
B. Le palladium de dissipation de puissance est basé sur TJ (max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.
C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ (max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder
initialTJ=25°C.
D. Le RθJA est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener RθJL et à mener à ambiant.
E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>
F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante avec laquelle est mesuré avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4
2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ (max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.
 
 
CE PRODUIT A ÉTÉ CONÇU ET QUALIFIÉ POUR LE MARCHÉ DE CONSOMMATEURS. DES APPLICATIONS OU LES UTILISATIONS COMME CRITICALCOMPONENTS DANS DES DISPOSITIFS OU DES SYSTÈMES D'ASSISTANCE VITALE NE SONT PAS AUTORISÉES. L'AOS N'ASSUME AUCUNE RESPONSABILITÉ ARISINOUT DE TELLES APPLICATIONS OU UTILISATIONS DE SES PRODUITS. L'AOS SE RÉSERVE LE DROIT D'AMÉLIORER LA CONCEPTION DE PRODUITS, LES FONCTIONS ET LA FIABILITÉ SANS PRÉAVIS.
 
 
P-canal : CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
 
 
Transistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30VTransistor MOSFET complémentaire le RDS (DESSUS) < 30m de transistor de puissance de transistor MOSFET de HXY4606 30V
 
 
 
 
 
Inquiry Cart 0