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Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WST2078
Product name :Mosfet Power Transistor
Features :Surface mount package
RDSON :30mΩ
Case :Tape/Tray/Reel
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Transistor MOSFET du N&P-canal WST2078

 

Description

 

Le WST2078 est le fossé de la plus haute performance

transistors MOSFET N-ch et P-ch avec la cellule élevée extrême

densité, qui fournissent excellent RDSON et le déclenchent

facturez la majeure partie de la petite commutation de puissance et

chargez les applications de commutateur.

 

Le rassemblement WST2078 le RoHS et le produit vert

condition avec la pleine fiabilité de fonction approuvée.

 

 

 

Applications

 

  • Point-de-charge à haute fréquence s synchrone
  • Petite commutation de puissance pour MB/NB/UMPC/VGA
  • Système d'alimentation de la mise en réseau DC-DC
  • Commutateur de charge

 

Caractéristiques
  • Technologie élevée avancée de fossé de densité de cellules
  • charge superbe de porte de z basse
  • excellente Cdv/dt baisse d'effet de z
  • dispositif de vert de z disponible

 

Capacités absolues

 

Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 

 

 

Données thermiques
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
 
Caractéristiques électriques de N-canal (℃ TJ=25, sauf indication contraire)
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
 
 
Caractéristiques de diode de corps de Drain-source
 
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
 
 
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 conseil d'inch2 FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par la température de jonction 150℃
4. Les données sont théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
 
 
Caractéristiques électriques de P-canal (℃ TJ=25, sauf indication contraire)
 
 
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
 
 
Caractéristiques de diode de corps de Drain-source
 
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
 
 
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 inch2
Panneau FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par des données de la température de jonction 150℃ 4.The est théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
 
 
Caractéristiques typiques de N-canal
 
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078 
 
 
Caractéristiques typiques de P-canal
 
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Mots clés du produit:
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