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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

Demander le dernier prix
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :WST3078
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
Caractéristiques :Paquet extérieur de bâti
Identification :20A
VGS :-10V
Applications :Gestion de puissance
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Description

 

Le fossé avancé des utilisations 20G04GD 

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS)

et basse charge de porte. Ce dispositif est

approprié pour l'usage comme commutateur de charge ou dedans

Applications de PWM.

 

 

CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICATION =20A LE RDS (DESSUS) < 25m="">
 
Application
Applications de PWM
Commutateur de charge
Gestion de puissance
 
 
Inscription et information de commande de paquet
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P
 

Ratings@T maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

N-CH Characteristics@ électrique T =25oC (sauf indication contraire)

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

P-CH Characteristics@T électrique =25oC (sauf indication contraire)

 

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

 
 
P-CH Characteristics@T électrique =25oC (sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P
 
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+PTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P
 
 
 
 
 
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