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Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :WSF6012
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
La température de jonction :150℃
Matériau :de silicium
Affaire :Bande/plateau/bobine
Type :Transistor de transistor MOSFET
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QM4803D N-ch et transistor MOSFET de P-canal
 

 

Description

 

Le WSF6012 est la plus haute performance

transistor MOSFET N-ch et P-ch de fossé avec l'extrémité

densité élevée de cellules, qui fournissent excellent

RDSON et porte facturent les la plupart de

applications synchrones de convertisseur de mâle.

 

Le rassemblement WSF6012 le RoHS et le vert

Condition de produit, 100% EAS

garanti avec la pleine fiabilité de fonction

approuvé.

 

 

Caractéristiques
 
technologie élevée avancée de fossé de densité de cellules de z
charge superbe de porte de z basse
excellente CdV/dt baisse d'effet de z
z 100% EAS garanti
dispositif de vert de z disponible

 

 

Applications

 

  • convertisseur synchrone de mâle de Point-de-charge à haute fréquence de z pour MB/NB/UMPC/VGA
  • système d'alimentation de la mise en réseau DC-DC de z
  • inverseur de contre-jour de z CCFL

 

 

Produit estival
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
 
Capacités absolues

 

Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

 

 

Données thermiques
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
Caractéristiques électriques de N-canal (℃ TJ=25, sauf indication contraire)
 
 Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
 
Caractéristiques garanties d'avalanche
 
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
Caractéristiques de diode
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 conseil d'inch2 FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par la température de jonction 150℃
4. Les données sont théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
 
 
Caractéristiques électriques de P-canal (℃ TJ=25, sauf indication contraire)
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
Caractéristiques garanties d'avalanche
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
Caractéristiques de diode
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 inch2
Panneau FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par des données de la température de jonction 150℃ 4.The est théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
 
 
Caractéristiques typiques de N-canal
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basseCharge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basseCharge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basseCharge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
 
Caractéristiques typiques de P-canal
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basseCharge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basseCharge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basseCharge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
 
 
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