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Les transistors de puissance d'astuce d'A94 PNP jeûnent type de triode de semi-conducteur de silicium de commutation

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Les transistors de puissance d'astuce d'A94 PNP jeûnent type de triode de semi-conducteur de silicium de commutation

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :A94
VCBO :-400V
VCEO :-400V
VEBO :-5V
Nom du produit :type de triode de semi-conducteur de silicium
TJ :150Š
Transistor de transistor MOSFET de puissance :TO-92 Plastique-s'encapsulent
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TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A94 (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE

 

 Tension claque élevée

 

 

REPÉRAGE

Code d'A94=Device

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal

Z=Rank de hFE

XXX=Code

 

Les transistors de puissance d'astuce d'A94 PNP jeûnent type de triode de semi-conducteur de silicium de commutation

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
A94 TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
A94-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension d'ector-base de Coll -400 V
VCEO Tension d'ector-émetteur de Coll -400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant d'ector de Coll - continu -0,2 A
Missile aux performances améliorées Courant d'ector de Coll - pulsé -0,3 A
PC Dissipation de puissance d'ector de Coll 625 mW
RθJA Le courant ascendant résistent à l'ance de la jonction à ambiant 200 ℃ /W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, C.-À-D. =0 -400     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=-1mA, IB=0 -400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =-100ΜA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-400V, C.-À-D. =0     -0,1 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=-400V, IB=0     -5 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE=-10V, IC=-10mA 80   300  
hFE (2) VCE=-10V, IC=-1mA 70      
hFE (3) VCE=-10V, IC=-100mA 60      
hFE (4) VCE=-10V, IC=-50mA 80      

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

VCE (reposé) (1) IC=-10mA, IB=-1mA     -0,2 V
VCE (reposé) (2) IC=-50mA, IB=-5mA     -0,3 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=-10mA, IB=-1mA     -0,75 V
Fréquence de transition fT VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz 50     Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

RANG A B C
GAMME 80-100 100-200 200-300

 

 

 

 

Caractéristiques typiques

 

 

Les transistors de puissance d'astuce d'A94 PNP jeûnent type de triode de semi-conducteur de silicium de commutation

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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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