Symbole	Mètre de Para	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	42	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	22	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	5	A
P_D	Dissipation de puissance de collecteur	750	mW
R0 JA	Le courant ascendant résistent à la jonction de ROM de l'ance f à ambiant	166,7	Š/W
T_j	La température de jonction	150	Š
Tstg	La température d'orage de St	-55 ~+150	Š

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	MINUTE	TYPE	Max	UNITÉ
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=0.1mA, C.-À-D. =0	42			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=1mA, I_B=0	22			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = 10µA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=30V, C.-À-D. =0			0,1	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=6V, I_C=0			0,1	µA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=2V, I_C= 0,15 mA	150
	hFE (2)	V_CE= 2V, I_C = 500 mA	340		2000
	hFE (3)	V_CE=2V, I_C = 2A	150
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=3000mA, I_B=100 mA			0,35	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=6V, I_C=50mA, f=30MHz		150		Mégahertz

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	R	T	V
Gamme	340-600	560-950	900-2000

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

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Circuit de transistor de D965 NPN, performance de transistor de puissance de NPN haute