Symbole	Mètre de Para	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	40	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	20	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	1	A
P_D	Dissipation de puissance de collecteur	625	mW
R0 JA	Le courant ascendant résistent à la jonction de ROM de l'ance f à ambiant	200	Š/W
T_j	La température de jonction	150	Š
Tstg	Température de stockage	-55 ~+150	Š

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C= 0.1mA, C.-À-D. =0	40			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=1mA, I_B=0	20			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. =0.1MA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=40V, C.-À-D. =0			1	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE=20V, I_B=0			5	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	µA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=1V, I_C=1mA	290
	hFE (2)	V_CE=1V, I_C=100mA	300		1000
	hFE (3)	V_CE=10V, I_C=300mA	300
	hFE (4)	V_CE=1V, I_C=500mA	300
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=600mA, I_B=20mA			0,55	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=10V, C.-À-D. =50mA, f=30MHz	100			Mégahertz

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

RANG	B	C	D
GAMME	300-550	500-700	650-1000

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Inquiry Cart 0

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW