Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
V CBO	Tension de collecteur-base	700	V
V PRÉSIDENT	Tension de collecteur-émetteur	400	V
V EBO	Tension d'Émetteur-base	9	V
I_C	Courant de collecteur - continu	1,5	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	0,9	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55 ~150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C= 1mA, C.-À-D. =0	700			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= 10mA, I_B=0	400			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = 1mA, I_C=0	9			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= 700V, C.-À-D. =0			100	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE= 400V, I_B=0			50	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= 7V, I_C=0			10	µA
Gain actuel de C.C	hFE	V_CE= 10V, I_C= 0,4 A	20		40
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé) 1	I_C=1.5A, I_B= 0.5A			3	V
	VCE (reposé) 2	I_C=0.5A, I_B= 0.1A			0,8	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=0.5A, I_B=0.1A			1	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA, f =1MHz	4			Mégahertz
Temps de chute	t_f	I_C=1A			0,7	µs
Temps d'entreposage	t_s	I_B1=-IB2=0.2A			4	µs

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang
Gamme	20-25	25-30	30-35	35-40

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
Φ		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

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Tension basse 9v bas Rdson d'émetteur de transistors de puissance de l'astuce 3DD13003B